真三维无掩膜光刻,可实现高自由度纳米级三维结构制造,极限最小特征尺寸40nm。为多个领域的研究发展提供先进的高精度、三维制造解决方案,应用领域包含但不限于微纳光学器件、微/纳流控芯片、片上光互联、微机械等。
MPD系列选型对比
系统参数系统参数特色功能与配置硬件配置信息安装条件外形尺寸
参数项目
MPD-100
MPD-1000
MPD-2000
横向最小特征尺寸(nm)
XY≤80
XY≤80
XY≤50
横向最小周期/分辨率(nm)
XY≤300
XY≤300
XY≤200
低损耗波导加工;波导端面形状控制;任意三维矢量路径、能量、速度调制加工;高一致性自动化加工;支持多种光栅类型加工。
FSD系列选型对比
系统参数系统参数特色功能与配置硬件配置信息安装条件外形尺寸
参数项目
MPD-100
MPD-1000
MPD-2000
横向最小特征尺寸(nm)
XY≤80
XY≤80
XY≤50
横向最小周期/分辨率(nm)
XY≤300
XY≤300
XY≤200
AOD(声光偏转器)紫外激光直写设备,是一款专为微纳结构图形化加工打造的无掩膜光刻专用设备。
设备核心采用声光偏转器实现紫外激光的无惯性高速扫描,无需依赖传统光刻掩膜版,即可直接在涂覆光刻胶的各类平面基板上,完成高精度微结构图案的曝光与图形转移,适配基板涵盖光学玻璃、单晶硅片及其他半导体、光学平面材料。
AOD系列选型对比
系统参数系统参数特色功能与配置硬件配置信息安装条件外形尺寸
参数项目
MPD-100
MPD-1000
MPD-2000
横向最小特征尺寸(nm)
XY≤80
XY≤80
XY≤50
横向最小周期/分辨率(nm)
XY≤300
XY≤300
XY≤200
数字投影无掩膜光刻系统,采用数字微镜技术进行高速无掩膜图形生成,可实现最高400nm的最小特征尺寸。配备高精度实时对焦与视觉对位套刻技术,主要应用于制作MEMS、光子器件、量子计算芯片及传感器等领域快速原型开发。
UVD系列选型对比
系统参数系统参数特色功能与配置硬件配置信息安装条件外形尺寸
参数项目
MPD-100
MPD-1000
MPD-2000
横向最小特征尺寸(nm)
XY≤80
XY≤80
XY≤50
横向最小周期/分辨率(nm)
XY≤300
XY≤300
XY≤200
基于三维断层扫描重建技术,应用前沿的扫描模式和剂量优化算法,实现对任意三维结构的超高速加工,效率提升50~300倍。支持多种生物材料及载细胞材料,生物制造的最优选择。
VOP系列选型对比
系统参数系统参数特色功能与配置硬件配置信息安装条件外形尺寸
参数项目
MPD-100
MPD-1000
MPD-2000
横向最小特征尺寸(nm)
XY≤80
XY≤80
XY≤50
横向最小周期/分辨率(nm)
XY≤300
XY≤300
XY≤200