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真三维无掩膜光刻,可实现高自由度纳米级三维结构制造,极限最小特征尺寸40nm。为多个领域的研究发展提供先进的高精度、三维制造解决方案,应用领域包含但不限于微纳光学器件、微/纳流控芯片、片上光互联、微机械等。
MPD系列选型对比
系统参数
系统参数特色功能与配置硬件配置信息安装条件外形尺寸
参数项目
MPD-100
MPD-1000
MPD-2000
横向最小特征尺寸(nm)
XY≤80
XY≤80
XY≤50
横向最小周期/分辨率(nm)
XY≤300
XY≤300
XY≤200
拼接精度(nm)
≤200
≤200
≤200
最高表面粗糙度(nm)
≤5
≤5
≤5
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